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IRFI820G
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220-3
15791 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 500 V 2.1A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220-3
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IRFI820G
Descripción del producto
12867712
Número de pieza
IRFI820G-DGFabricante
Vishay Siliconix
IRFI820G
Descripción
MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220-3Inventario
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IRFI820G Especificaciones Técnicas
Categoría
Transistores, FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
500 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
2.1A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
3Ohm @ 1.3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
360 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
30W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220-3
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Número de producto base
IRFI820
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Descargar IRFI820G Especificaciones del producto (PDF)
Hojas de datos
IRFI820G
Hoja de datos HTML
IRFI820G-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
*IRFI820G
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Dec 02, 2025
Every interaction with their customer service was professional and helpful, making me a happy first-time buyer.
Dec 02, 2025
Customer support is proactive, ensuring issues are addressed before they escalate.
Dec 02, 2025
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Preguntas Frecuentes (FAQ)
¿Cuáles son las características principales del MOSFET IRFI820G?
El IRFI820G es un MOSFET de canal N con una tensión nominal de 500V y una corriente de drenaje continua de 2.1A. Está diseñado para aplicaciones de conmutación de alta tensión y cuenta con un encapsulado TO-220-3 para facilitar su montaje mediante pasos a través de orificio.
¿Es adecuado el MOSFET IRFI820G para circuitos de alta tensión?
Sí, con una tensión de drenaje a fuente de 500V, el IRFI820G es ideal para circuitos de alimentación de alta tensión e inversores donde se requiere una conmutación eficiente de voltajes elevados.
¿Cuál es el rango de temperatura de operación del MOSFET IRFI820G?
El IRFI820G funciona de manera eficiente en un rango de temperatura de -55°C a 150°C, lo que lo hace adecuado para diversas aplicaciones industriales y de energía.
¿Cómo puedo controlar el MOSFET IRFI820G en mi circuito?
El IRFI820G requiere un voltaje de mando en la puerta de aproximadamente 10V para un rendimiento óptimo en la conmutación Rds(on). Asegúrese de que su circuito suministre el voltaje de puerta adecuado y adopte medidas de protección en la puerta.
¿El MOSFET IRFI820G incluye alguna garantía o soporte posventa?
El IRFI820G se fabrica y almacena como un producto nuevo, original y activo, y generalmente cuenta con soporte estándar del fabricante. Consulte a su proveedor para opciones específicas de garantía o soporte posventa.
Aseguramiento de Calidad (QC)
DiGi garantiza la calidad y autenticidad de cada componente electrónico mediante inspecciones profesionales y muestreos por lote, asegurando un abastecimiento confiable, un rendimiento estable y el cumplimiento de las especificaciones técnicas, ayudando a los clientes a reducir los riesgos en la cadena de suministro y a usar los componentes en producción con confianza.
IRFI820G CAD Models
Vishay Siliconix IRFI820G PCB symbols & footprints
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