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IRFB9N30A
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 300V 9.3A TO220AB
25506 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 300 V 9.3A (Tc) 96W (Tc) Through Hole TO-220AB
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IRFB9N30A
Descripción del producto
12867786
Número de pieza
IRFB9N30A-DGFabricante
Vishay Siliconix
IRFB9N30A
Descripción
MOSFET N-CH 300V 9.3A TO220ABInventario
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IRFB9N30A Especificaciones Técnicas
Categoría
Transistores, FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
300 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
9.3A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
450mOhm @ 5.6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
920 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
96W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220AB
Paquete / Caja
TO-220-3
Número de producto base
IRFB9
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Descargar IRFB9N30A Especificaciones del producto (PDF)
Hojas de datos
Packaging Information
Hoja de datos HTML
IRFB9N30A-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
*IRFB9N30A
Piezas alternativas
NÚMERO DE PARTE
FABRICANTE
CANTIDAD DISPONIBLE
NÚMERO DE PIEZA
PRECIO UNITARIO
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
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Preguntas Frecuentes (FAQ)
¿Cuáles son las características principales y especificaciones del MOSFET IRFB9N30A?
El IRFB9N30A es un MOSFET de canal N con una tensión nominal de 300V y una corriente de drenaje continua máxima de 9.3A. Posee una resistencia Rds On máxima de 450mΩ a 10V en Vgs y es adecuado para aplicaciones de alta tensión. El dispositivo funciona en un rango de temperatura de -55°C a 150°C y se presenta en un encapsulado TO-220AB.
¿Cuáles son los principales usos o aplicaciones del MOSFET IRFB9N30A?
Este MOSFET es ideal para conmutación de potencia, drivers de motores, fuentes de alimentación y otras aplicaciones de alta tensión y gran corriente que requieren componentes de conmutación robustos y eficientes. Su alta tensión nominal y su baja resistencia Rds On lo hacen adecuado para circuitos electrónicos exigentes.
¿Es compatible el IRFB9N30A con voltajes de comando y sistemas comunes?
Sí, el IRFB9N30A está diseñado para ser accionado con hasta 10V en Vgs, lo que lo hace compatible con circuitos de puerta utilizados en electrónica de potencia. Su carga de puerta de 33 nC asegura un rendimiento de conmutación eficiente.
¿Cuáles son los beneficios de elegir el MOSFET IRFB9N30A para mi proyecto?
El IRFB9N30A ofrece capacidades altas de manejo de voltaje y corriente con una resistencia Rds On baja, lo que conduce a una menor disipación de calor y mejor eficiencia. Su construcción resistente y amplio rango de temperatura de operación garantizan un funcionamiento confiable en diversos entornos.
¿El MOSFET IRFB9N30A cuenta con garantía o soporte postventa?
Como un componente original y en stock, el IRFB9N30A es suministrado por fabricantes reconocidos. Para detalles específicos sobre garantía o soporte, por favor contacte al proveedor o distribuidor autorizado para asegurar un servicio postventa adecuado.
Aseguramiento de Calidad (QC)
DiGi garantiza la calidad y autenticidad de cada componente electrónico mediante inspecciones profesionales y muestreos por lote, asegurando un abastecimiento confiable, un rendimiento estable y el cumplimiento de las especificaciones técnicas, ayudando a los clientes a reducir los riesgos en la cadena de suministro y a usar los componentes en producción con confianza.
IRFB9N30A CAD Models
Vishay Siliconix IRFB9N30A PCB symbols & footprints
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