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IRF624STRL
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAK
897 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 250 V 4.4A (Tc) 3.1W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
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IRF624STRL
Descripción del producto
12867677
Número de pieza
IRF624STRL-DGFabricante
Vishay Siliconix
IRF624STRL
Descripción
MOSFET N-CH 250V 4.4A D2PAKInventario
897 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 250 V 4.4A (Tc) 3.1W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
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IRF624STRL Especificaciones Técnicas
Categoría
Transistores, FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
250 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
4.4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.1Ohm @ 2.6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
260 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.1W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
IRF624
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Descargar IRF624STRL Especificaciones del producto (PDF)
Hojas de datos
IRF624SPBF
Hoja de datos HTML
IRF624STRL-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Información Adicional
Paquete Estándar
800
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Aseguramiento de Calidad (QC)
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Vishay Siliconix IRF624STRL PCB symbols & footprints
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