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STB45N30M5
STMicroelectronics
NCHANNEL 300 V 0.037 OHM TYP. 53
2201 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 300 V 53A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
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STB45N30M5
Descripción del producto
12872779
Número de pieza
STB45N30M5-DGFabricante
STMicroelectronics
STB45N30M5
Descripción
NCHANNEL 300 V 0.037 OHM TYP. 53Inventario
2201 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 300 V 53A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
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STB45N30M5 Especificaciones Técnicas
Categoría
Transistores, FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Embalaje
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
MDmesh™ M5
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
300 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
53A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
40mOhm @ 26.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
95 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4240 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
STB45
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Descargar STB45N30M5 Especificaciones del producto (PDF)
Hojas de datos
STB45N30M5
Hoja de datos HTML
STB45N30M5-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Información Adicional
Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
497-18245-1
497-18245-2
497-18245-6
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5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
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Preguntas Frecuentes (FAQ)
¿Cuáles son las características clave del MOSFET N-channel STMicroelectronics MDmesh™ M5 (STB45N30M5)?
El STB45N30M5 es un MOSFET de potencia N-channel de 300V y 53A con una resistencia Rds On de 40mΩ, diseñado para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia y capaz de soportar una disipación de potencia de hasta 250W bajo condiciones térmicas adecuadas.
¿Es el STB45N30M5 adecuado para diseños de PCB con montaje en superficie?
Sí, este MOSFET cuenta con un encapsulado TO-263 (D2PAK), lo que lo hace ideal para montaje en superficie en placas de circuito impreso, favoreciendo diseños compactos y eficientes en espacio.
¿Cuál es el voltaje típico de conducción de puerta necesario para el MOSFET STB45N30M5?
El MOSFET requiere un voltaje máximo de puerta a fuente de 10V para activar completamente, con una carga de puerta típica de 95nC a Vgs = 10V, siendo compatible con la mayoría de los circuitos de control estándar.
¿Puede el STB45N30M5 operar en un amplio rango de temperaturas?
Sí, puede funcionar de manera fiable en temperaturas que van desde -55°C hasta 150°C, siendo apto para aplicaciones industriales y automotrices que requieren altas temperaturas.
¿El STB45N30M5 cumple con las normas RoHS y cuál es su disponibilidad?
Sí, este MOSFET cumple con las normas RoHS3 y actualmente está en stock, con más de 3,000 unidades disponibles, garantizando una entrega rápida para tus proyectos.
Aseguramiento de Calidad (QC)
DiGi garantiza la calidad y autenticidad de cada componente electrónico mediante inspecciones profesionales y muestreos por lote, asegurando un abastecimiento confiable, un rendimiento estable y el cumplimiento de las especificaciones técnicas, ayudando a los clientes a reducir los riesgos en la cadena de suministro y a usar los componentes en producción con confianza.
STB45N30M5 CAD Models
STMicroelectronics STB45N30M5 PCB symbols & footprints
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