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STF13N60DM2
STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
10388 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 600 V 11A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP
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STF13N60DM2
Descripción del producto
12872781
Número de pieza
STF13N60DM2-DGFabricante
STMicroelectronics
STF13N60DM2
Descripción
MOSFET N-CH 600V 11A TO220FPInventario
10388 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 600 V 11A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP
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STF13N60DM2 Especificaciones Técnicas
Categoría
Transistores, FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Embalaje
Tube
Serie
MDmesh™ DM2
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
600 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
11A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
365mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
730 pF @ 100 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-220FP
Paquete / Caja
TO-220-3 Full Pack
Número de producto base
STF13
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Descargar STF13N60DM2 Especificaciones del producto (PDF)
Hojas de datos
STF13N60DM2 Datasheet
Hoja de datos HTML
STF13N60DM2-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
497-16961
Piezas alternativas
NÚMERO DE PARTE
FABRICANTE
CANTIDAD DISPONIBLE
NÚMERO DE PIEZA
PRECIO UNITARIO
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
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Preguntas Frecuentes (FAQ)
¿Cuáles son las principales características del MOSFET STF13N60DM2?
El STF13N60DM2 es un MOSFET de canal N con una tensión máxima de 600V y una corriente de drenaje continua de 11A, diseñado para aplicaciones de conmutación de alta tensión. Cuenta con un encapsulado TO-220FP y funciona de manera eficiente en un rango de temperatura de -55°C a 150°C.
¿Es el MOSFET STF13N60DM2 adecuado para circuitos electrónicos de alta tensión?
Sí, con una tensión de drenaje a fuente de 600V, el STF13N60DM2 es ideal para aplicaciones de alta tensión como fuentes de alimentación y controles de motores, ofreciendo un rendimiento fiable y baja resistencia Rds On para minimizar la disipación de potencia.
¿Cuál es el valor típico de Rds On para el MOSFET STF13N60DM2 a una puerta de 10V?
El STF13N60DM2 tiene un valor máximo de Rds On de 365 mili ohmios a una tensión de puerta a fuente de 10V y una corriente de drenaje de 5.5A, asegurando una conmutación eficiente con bajas pérdidas por conducción.
¿El MOSFET STF13N60DM2 cumple con las normativas RoHS y estándares ambientales?
Sí, el STF13N60DM2 cumple con los estándares RoHS 3, lo que lo hace respetuoso con el medio ambiente y adecuado para su uso en diseños electrónicos eco-amigables.
¿Cuántas unidades del STF13N60DM2 están disponibles para compra y qué tipo de embalaje tiene?
El producto cuenta con más de 10,800 unidades en stock, empaquetadas en tubo y montadas en un encapsulado TO-220FP para una fácil instalación en aplicaciones de through-hole.
Aseguramiento de Calidad (QC)
DiGi garantiza la calidad y autenticidad de cada componente electrónico mediante inspecciones profesionales y muestreos por lote, asegurando un abastecimiento confiable, un rendimiento estable y el cumplimiento de las especificaciones técnicas, ayudando a los clientes a reducir los riesgos en la cadena de suministro y a usar los componentes en producción con confianza.
STF13N60DM2 CAD Models
STMicroelectronics STF13N60DM2 PCB symbols & footprints
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