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SIR876BDP-T1-RE3
Vishay Siliconix
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POW
1993 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 100 V 13.6A (Ta), 51.4A (Tc) 5W (Ta), 71.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIR876BDP-T1-RE3
Descripción del producto
12958796
Número de pieza
SIR876BDP-T1-RE3-DGFabricante
Vishay Siliconix
SIR876BDP-T1-RE3
Descripción
N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET POWInventario
1993 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 100 V 13.6A (Ta), 51.4A (Tc) 5W (Ta), 71.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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SIR876BDP-T1-RE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
Transistores, FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Embalaje
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
13.6A (Ta), 51.4A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
10.8mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
65 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3040 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
5W (Ta), 71.4W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® SO-8
Paquete / Caja
PowerPAK® SO-8
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
SIR876BDP
Hoja de datos HTML
SIR876BDP-T1-RE3-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
742-SIR876BDP-T1-RE3CT
742-SIR876BDP-T1-RE3TR
742-SIR876BDP-T1-RE3DKR
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SIR876BDP-T1-RE3 CAD Models
Vishay Siliconix SIR876BDP-T1-RE3 PCB symbols & footprints
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