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SI7997DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO8
17233 Pcs Nuevos Originales En Stock
Mosfet Array 30V 60A 46W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
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SI7997DP-T1-GE3
Descripción del producto
12786528
Número de pieza
SI7997DP-T1-GE3-DGFabricante
Vishay Siliconix
SI7997DP-T1-GE3
Descripción
MOSFET 2P-CH 30V 60A PPAK SO8Inventario
17233 Pcs Nuevos Originales En Stock
Mosfet Array 30V 60A 46W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual
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SI7997DP-T1-GE3 Especificaciones Técnicas
Categoría
Transistores, FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Embalaje
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
TrenchFET®
Estado del producto
Active
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Configuración
2 P-Channel (Dual)
Función FET
-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
60A
rds activados (máx.) @ id, vgs
5.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.2V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
160nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6200pF @ 15V
Potencia - Máx.
46W
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
PowerPAK® SO-8 Dual
Paquete de dispositivos del proveedor
PowerPAK® SO-8 Dual
Número de producto base
SI7997
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
SI7997DP
Hoja de datos HTML
SI7997DP-T1-GE3-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
SI7997DP-T1-GE3DKR
SI7997DP-T1-GE3TR
SI7997DP-T1-GE3CT
SI7997DPT1GE3
Piezas alternativas
NÚMERO DE PARTE
FABRICANTE
CANTIDAD DISPONIBLE
NÚMERO DE PIEZA
PRECIO UNITARIO
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Reviews
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Preguntas Frecuentes (FAQ)
¿Cuáles son las características principales del arreglo de MOSFETs Vishay SI7997DP-T1-GE3?
El arreglo de MOSFETs Vishay SI7997DP-T1-GE3 es una matriz dual de transistores P-channel diseñada para aplicaciones de montaje superficial, con una tensión máxima de drenaje a fuente de 30 V, corriente continua de drenaje de 60 A y un Rds(on) bajo de 5.5 mΩ a 20 A. Se presenta en un encapsulado PowerPAK® SO-8 Dual, ideal para circuitos de conmutación de alta potencia y alta velocidad.
¿Cómo puedo utilizar los MOSFETs Vishay SI7997DP-T1-GE3 en mis proyectos electrónicos?
Estos MOSFETs son ideales para gestión de energía, conmutación de cargas y control de motores, especialmente en aplicaciones que requieren conmutación eficiente y bajas pérdidas por conducción. Su diseño de montaje superficial los hace adecuados para placas de circuito compacto y de alto rendimiento.
¿Es compatible el arreglo de MOSFET Vishay SI7997DP-T1-GE3 con los procesos estándar de soldadura por montaje superficial?
Sí, el arreglo de MOSFETs cuenta con un encapsulado PowerPAK® SO-8 Dual compatible con las técnicas estándar de soldadura superficial, facilitando su integración en diseños modernos de PCB.
¿Cuáles son las ventajas de utilizar la tecnología TrenchFET® de Vishay en este arreglo de MOSFET?
La tecnología TrenchFET® ofrece una menor Rds(on), mayor eficiencia y mejor rendimiento en la conmutación, lo que ayuda a reducir la disipación de calor y aumenta la fiabilidad general en aplicaciones de potencia.
¿El Vishay SI7997DP-T1-GE3 cuenta con alguna garantía o soporte postventa?
Al ser un producto nuevo, original y en stock, generalmente incluye soporte del fabricante y cumple con los estándares RoHS3, garantizando la calidad del producto y la seguridad ambiental. Consulte con su proveedor para conocer las políticas de garantía específicas.
Aseguramiento de Calidad (QC)
DiGi garantiza la calidad y autenticidad de cada componente electrónico mediante inspecciones profesionales y muestreos por lote, asegurando un abastecimiento confiable, un rendimiento estable y el cumplimiento de las especificaciones técnicas, ayudando a los clientes a reducir los riesgos en la cadena de suministro y a usar los componentes en producción con confianza.
SI7997DP-T1-GE3 CAD Models
Vishay Siliconix SI7997DP-T1-GE3 PCB symbols & footprints
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