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IRF9Z14S
Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK
16381 Pcs Nuevos Originales En Stock
P-Channel 60 V 6.7A (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
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IRF9Z14S
Descripción del producto
12882457
Número de pieza
IRF9Z14S-DGFabricante
Vishay Siliconix
IRF9Z14S
Descripción
MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAKInventario
16381 Pcs Nuevos Originales En Stock
P-Channel 60 V 6.7A (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
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IRF9Z14S Especificaciones Técnicas
Categoría
Transistores, FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Embalaje
-
Serie
-
Estado del producto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
6.7A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
500mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
270 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3.7W (Ta), 43W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-263 (D2PAK)
Paquete / Caja
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número de producto base
IRF9
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Descargar IRF9Z14S Especificaciones del producto (PDF)
Hojas de datos
IRF9Z14S,L, SiHF9Z14S,L
Hoja de datos HTML
IRF9Z14S-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
RoHS non-compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Información Adicional
Paquete Estándar
50
Otros nombres
*IRF9Z14S
Piezas alternativas
NÚMERO DE PARTE
FABRICANTE
CANTIDAD DISPONIBLE
NÚMERO DE PIEZA
PRECIO UNITARIO
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
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Preguntas Frecuentes (FAQ)
¿Cuál es la función principal del MOSFET IRF9Z14S?
El IRF9Z14S es un MOSFET de canal P diseñado para aplicaciones de conmutación, capaz de manejar hasta 60V y 6,7A de corriente, adecuado para la gestión de energía y circuitos de conmutación de carga.
¿Es compatible el IRF9Z14S con configuraciones estándar de PCB de montaje superficial?
Sí, el IRF9Z14S viene en un paquete de montaje superficial TO-263 (D2PAK), lo que lo hace compatible con procesos estándar de fabricación de PCB de montaje superficial.
¿Cuáles son las principales especificaciones eléctricas de este MOSFET de canal P?
Este MOSFET tiene una tensión de drenaje a fuente de 60V, una corriente continua máxima de drenaje de 6,7A a 25°C y una Rds(on) de 500mΩ a 4A y 10V, asegurando una conmutación eficiente con baja resistencia ON.
¿Cuáles son las ventajas de usar el IRF9Z14S en circuitos electrónicos de potencia?
Sus altos voltajes y capacidades de corriente, junto con una baja Rds(on) y buena disipación térmica, hacen que el IRF9Z14S sea ideal para conmutación robusta y energéticamente eficiente en fuentes de alimentación y control de motores.
¿Es el IRF9Z14S adecuado para ambientes de alta temperatura y cómo es el soporte postventa?
El IRF9Z14S puede operar en temperaturas que van desde -55°C hasta 175°C, garantizando fiabilidad en condiciones exigentes. Para soporte postventa, comprar a proveedores autorizados asegura la autenticidad del producto y asistencia técnica.
Aseguramiento de Calidad (QC)
DiGi garantiza la calidad y autenticidad de cada componente electrónico mediante inspecciones profesionales y muestreos por lote, asegurando un abastecimiento confiable, un rendimiento estable y el cumplimiento de las especificaciones técnicas, ayudando a los clientes a reducir los riesgos en la cadena de suministro y a usar los componentes en producción con confianza.
IRF9Z14S CAD Models
Vishay Siliconix IRF9Z14S PCB symbols & footprints
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