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S1FLJ-M-18
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB
999 Pcs Nuevos Originales En Stock
Diode 600 V 1A Surface Mount DO-219AB (SMF)
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S1FLJ-M-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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S1FLJ-M-18

Descripción del producto

12908213

Número de pieza

S1FLJ-M-18-DG
S1FLJ-M-18

Descripción

DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB

Inventario

999 Pcs Nuevos Originales En Stock
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S1FLJ-M-18 Especificaciones Técnicas

Categoría Diodos, Rectificadores, Diodos simples

Embalaje Tape & Reel (TR)

Serie -

Estado del producto Active

Tecnología Standard

Voltaje: CC inversa (VR) (máx.) 600 V

Actual - Promedio rectificado (Io) 1A

Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si 1.1 V @ 1 A

Velocidad Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tiempo de recuperación inversa (trr) 1.8 µs

Corriente - Fuga inversa @ vr 10 µA @ 600 V

Capacitancia @ Vr, F 4pF @ 4V, 1MHz

Tipo de montaje Surface Mount

Paquete / Caja DO-219AB

Paquete de dispositivos del proveedor DO-219AB (SMF)

Temperatura de funcionamiento - Unión -55°C ~ 150°C

Número de producto base S1F

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

S1FLx-M

Hoja de datos HTML

S1FLJ-M-18-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.10.0080

Información Adicional

Paquete Estándar
50,000

Piezas alternativas

NÚMERO DE PARTE
FABRICANTE
CANTIDAD DISPONIBLE
NÚMERO DE PIEZA
PRECIO UNITARIO
TIPO DE SUSTITUCIÓN
S1JL
Taiwan Semiconductor Corporation
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