Prevención de falsificaciones y defectos
Inspección visual y de embalaje
Verificación del rendimiento eléctrico
Correo electrónico de servicio:
[email protected]
>
TPHR6503PL1,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
UMOS9 SOP-ADV(N) PD=210W F=1MHZ
68029 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 30 V 150A (Tc) 960mW (Ta), 210W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5.75)
Solicitar Cotización
(Envía mañana)
*Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
5.0 / 5.0
- (37 Calificaciones)
TPHR6503PL1,LQ
Descripción del producto
12994845
Número de pieza
TPHR6503PL1,LQ-DGFabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
TPHR6503PL1,LQ
Descripción
UMOS9 SOP-ADV(N) PD=210W F=1MHZInventario
68029 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 30 V 150A (Tc) 960mW (Ta), 210W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5.75)
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
Compra e consulta
Garantía y Devoluciones
Cómo hacer un pedido
Envío y Entrega
Aseguramiento de Calidad
365 - Garantía de Calidad Diaria - Cada pieza completamente respaldada.
Reembolso o cambio en 90 días - ¿Piezas defectuosas? Sin complicaciones.
Stock limitado, Haz tu pedido ahora - Obtén piezas confiables sin preocupaciones.
Envío Global y Embalaje Seguro
Entrega mundial en 3-5 días laborables
Empaquetado Antiestático 100% ESD
Seguimiento en Tiempo Real para Cada Pedido
Pago seguro y flexible
Tarjeta de crédito, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Transferencia telegráfica (T/T) y más
Todos los pagos encriptados por seguridad
TPHR6503PL1,LQ Especificaciones Técnicas
Categoría
Transistores, FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Embalaje
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
U-MOSIX-H
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
150A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
0.65mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.1V @ 1mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
10000 pF @ 15 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
960mW (Ta), 210W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
175°C
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
8-SOP Advance (5x5.75)
Paquete / Caja
8-PowerTDFN
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Descargar TPHR6503PL1,LQ Especificaciones del producto (PDF)
Hojas de datos
TPHR6503PL1
Hoja de datos HTML
TPHR6503PL1,LQ-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Información Adicional
Paquete Estándar
5,000
Otros nombres
264-TPHR6503PL1LQDKR
264-TPHR6503PL1LQCT
TPHR6503PL1,LQ(M
264-TPHR6503PL1LQTR
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
신속한 배송과 친절한 애프터서비스 덕분에 자주 구매하게 됩니다. 항상 신뢰하고 있습니다.
Dec 02, 2025
대량 구매 시 가격 혜택이 크고, 요청사항에 신속하게 대응해줘서 만족스럽습니다.
Dec 02, 2025
전 제품이 가격이 공개되어 있어서 구매 결정 시 편리했고, 제품도 만족스럽습니다.
Dec 02, 2025
配送が迅速で、サポートも丁寧でした。とても満足です。
Dec 02, 2025
The detailed logistics tracking updates from DiGi Electronics make it easy to monitor shipment progress.
Dec 02, 2025
Every time I order from DiGi Electronics, the items arrive well-packaged and exactly as described, which saves me time.
Dec 02, 2025
Their post-sale responses are detailed and always delivered within a short time frame.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Preguntas Frecuentes (FAQ)
¿Cuál es la principal aplicación del transistor MOSFET N-Channel Toshiba UMOS9 SOP-ADV?
Este transistor MOSFET está diseñado para aplicaciones de conmutación de alta corriente, como gestión de energía, accionamientos de motores y sistemas inverter, debido a su alta capacidad de corriente y bajo Rds On.
¿Es compatible el transistor MOSFET de la serie U-MOSIX-H de Toshiba con diseños estándar de montaje superficial en PCB?
Sí, cuenta con un embalaje de montaje superficial 8-SOP Advance, lo que lo hace adecuado para ensamblaje en PCB estándar y diseños compactos.
¿Cuáles son las principales especificaciones eléctricas de este transistor MOSFET de canal N?
Soporta una tensión drain-source de 30 V, una corriente continua de drain de 150 A a 25°C, y presenta un bajo Rds On de 0.65 mΩ a 50 A y 10 V Vgs, asegurando una conducción eficiente de energía.
¿Puede operar este MOSFET a altas temperaturas y cuál es su temperatura máxima de funcionamiento?
Sí, puede operar de manera confiable a temperaturas de hasta 175°C, lo que lo hace apto para aplicaciones industriales de potencia exigentes.
¿El MOSFET de Toshiba incluye alguna garantía o disponibilidad en stock para pedidos al por mayor?
El producto está en estado activo con más de 68,514 unidades en stock y, como artículo original nuevo, generalmente cuenta con garantía del fabricante y soporte para compras en volúmenes grandes.
Aseguramiento de Calidad (QC)
DiGi garantiza la calidad y autenticidad de cada componente electrónico mediante inspecciones profesionales y muestreos por lote, asegurando un abastecimiento confiable, un rendimiento estable y el cumplimiento de las especificaciones técnicas, ayudando a los clientes a reducir los riesgos en la cadena de suministro y a usar los componentes en producción con confianza.
TPHR6503PL1,LQ CAD Models
Toshiba Semiconductor and Storage TPHR6503PL1,LQ PCB symbols & footprints
productDetail
