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RFD12N06RLESM9A
onsemi
MOSFET N-CH 60V 18A TO252AA
7401 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 60 V 18A (Tc) 49W (Tc) Surface Mount TO-252AA
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RFD12N06RLESM9A
Descripción del producto
12859791
Número de pieza
RFD12N06RLESM9A-DGFabricante
onsemi
RFD12N06RLESM9A
Descripción
MOSFET N-CH 60V 18A TO252AAInventario
7401 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 60 V 18A (Tc) 49W (Tc) Surface Mount TO-252AA
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RFD12N06RLESM9A Especificaciones Técnicas
Categoría
Transistores, FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Embalaje
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
UltraFET™
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
60 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
18A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
63mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
485 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
49W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
TO-252AA
Paquete / Caja
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número de producto base
RFD12N06
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
RFD12N06RLESM
Hoja de datos HTML
RFD12N06RLESM9A-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Información Adicional
Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
RFD12N06RLESM9A-DG
RFD12N06RLESM9ACT
RFD12N06RLESM9ATR
RFD12N06RLESM9ADKR
Piezas alternativas
NÚMERO DE PARTE
FABRICANTE
CANTIDAD DISPONIBLE
NÚMERO DE PIEZA
PRECIO UNITARIO
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Preguntas Frecuentes (FAQ)
¿Cuáles son las características principales del MOSFET N-Canal RFD12N06RLESM9A?
El RFD12N06RLESM9A es un MOSFET N-Canal de 60V y 18A con una resistencia Rds On de 63mΩ a 10V, adecuado para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia. Cuenta con un encapsulado de montaje superficial TO-252AA y funciona en un rango de temperatura de -55°C a 175°C.
¿Es compatible el RFD12N06RLESM9A con voltajes de puertas estándar?
Sí, este MOSFET se puede activar con un voltaje de puerta máximo de 16V y requiere un mínimo de 4.5V para activarse completamente, lo que lo hace compatible con circuitos comunes de conducción de puerta en diversos proyectos electrónicos.
¿Cuáles son las aplicaciones típicas de este MOSFET TO-252AA?
Este MOSFET es ideal para conmutación de potencia, control de motores, fuentes de alimentación y otras aplicaciones de alto rendimiento que requieren un MOSFET N-Canal eficiente y confiable.
¿Cómo garantiza el RFD12N06RLESM9A un funcionamiento fiable bajo estrés térmico?
Con una disipación máxima de potencia de 49W y un amplio rango de temperatura de operación de -55°C a 175°C, este MOSFET está diseñado para un rendimiento estable en entornos electrónicos exigentes, siempre que se implemente una gestión térmica adecuada.
¿Qué opciones de soporte y disponibilidad existen para adquirir el RFD12N06RLESM9A?
Este MOSFET está disponible en stock con proveedores autorizados, en empaque Tape & Reel para facilitar su manejo automatizado, y ofrece opciones para OEM y reparaciones con calidad confiable y cumplimiento RoHS.
Aseguramiento de Calidad (QC)
DiGi garantiza la calidad y autenticidad de cada componente electrónico mediante inspecciones profesionales y muestreos por lote, asegurando un abastecimiento confiable, un rendimiento estable y el cumplimiento de las especificaciones técnicas, ayudando a los clientes a reducir los riesgos en la cadena de suministro y a usar los componentes en producción con confianza.
RFD12N06RLESM9A CAD Models
onsemi RFD12N06RLESM9A PCB symbols & footprints
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