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NTR1P02T1G
onsemi
MOSFET P-CH 20V 1A SOT23-3
65347 Pcs Nuevos Originales En Stock
P-Channel 20 V 1A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
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NTR1P02T1G
Descripción del producto
12859547
Número de pieza
NTR1P02T1G-DGFabricante
onsemi
NTR1P02T1G
Descripción
MOSFET P-CH 20V 1A SOT23-3Inventario
65347 Pcs Nuevos Originales En Stock
P-Channel 20 V 1A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
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NTR1P02T1G Especificaciones Técnicas
Categoría
Transistores, FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Embalaje
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
-
Estado del producto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
20 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
1A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
4.5V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
180mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
2.3V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
2.5 nC @ 5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
165 pF @ 5 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
400mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-23-3 (TO-236)
Paquete / Caja
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Número de producto base
NTR1P02
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Descargar NTR1P02T1G Especificaciones del producto (PDF)
Hojas de datos
N(T,V)R1P02
Hoja de datos HTML
NTR1P02T1G-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Información Adicional
Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
NTR1P02T1GOSTR
NTR1P02T1GOSCT
NTR1P02T1GOSDKR
2156-NTR1P02T1G-OS
NTR1P02T1GOS
NTR1P02T1GOS-DG
ONSONSNTR1P02T1G
Piezas alternativas
NÚMERO DE PARTE
FABRICANTE
CANTIDAD DISPONIBLE
NÚMERO DE PIEZA
PRECIO UNITARIO
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Reviews
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Preguntas Frecuentes (FAQ)
¿Cuáles son las principales características y especificaciones del MOSFET de canal P onsemi NTR1P02T1G?
El NTR1P02T1G es un MOSFET de canal P con una tensión de drenaje a fuente de 20V, una corriente continua de 1A y una potencia máxima de disipación de 400mW. Tiene una resistencia Rds On baja de 180mΩ a 1.5A y 10V Vgs, lo que lo hace apto para diversas aplicaciones de conmutación.
¿Es compatible el MOSFET onsemi NTR1P02T1G con voltajes de puerta de 5V y 10V?
Sí, este MOSFET puede ser controlado eficazmente con voltajes de puerta de 4.5V a 10V, garantizando una baja Rds On y un rendimiento de conmutación confiable en tus circuitos.
¿Cuáles son las aplicaciones típicas de este MOSFET de canal P en dispositivos electrónicos?
Este MOSFET de canal P es ideal para conmutación de potencia, gestión de cargas y protección contra inversión de batería en electrónica de consumo, equipos industriales y aplicaciones automotrices.
¿Es el NTR1P02T1G adecuado para procesos de ensamblaje en montaje superficial?
Sí, está diseñado en un paquete SOT-23-3, compatible con técnicas estándar de montaje superficial, facilitando su integración en diseños de circuitos compactos.
¿Cuáles son las consideraciones de durabilidad y garantía para este producto MOSFET?
El NTR1P02T1G cumple con la normativa RoHS3, cuenta con un nivel de sensibilidad a la humedad ilimitado (MSL 1), y se suministra como un componente nuevo y original, asegurando alta fiabilidad y calidad para tus proyectos.
Aseguramiento de Calidad (QC)
DiGi garantiza la calidad y autenticidad de cada componente electrónico mediante inspecciones profesionales y muestreos por lote, asegurando un abastecimiento confiable, un rendimiento estable y el cumplimiento de las especificaciones técnicas, ayudando a los clientes a reducir los riesgos en la cadena de suministro y a usar los componentes en producción con confianza.
NTR1P02T1G CAD Models
onsemi NTR1P02T1G PCB symbols & footprints
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