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MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
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N-Channel 60 V 12A (Ta) 1.5W (Ta), 48W (Tj) Surface Mount DPAK
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NTD3055L104T4G

Descripción del producto

12859407

Número de pieza

NTD3055L104T4G-DG

Fabricante

onsemi
NTD3055L104T4G

Descripción

MOSFET N-CH 60V 12A DPAK

Inventario

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NTD3055L104T4G Especificaciones Técnicas

Categoría Transistores, FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante onsemi

Embalaje Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

Serie -

Estado del producto Active

Tipo FET N-Channel

Tecnología MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C 12A (Ta)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado) 5V

rds activados (máx.) @ id, vgs 104mOhm @ 6A, 5V

vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs 20 nC @ 5 V

Vgs (máx.) ±15V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 440 pF @ 25 V

Función FET -

Disipación de potencia (máx.) 1.5W (Ta), 48W (Tj)

Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor DPAK

Paquete / Caja TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Número de producto base NTD3055

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

NTD3055L104

Hoja de datos HTML

NTD3055L104T4G-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Información Adicional

Paquete Estándar
2,500
Otros nombres
NTD3055L104T4GOSCT
NTD3055L104T4GOSDKR
NTD3055L104T4GOSTR
ONSONSNTD3055L104T4G
2156-NTD3055L104T4G-OS
NTD3055L104T4GOS
NTD3055L104T4GOS-DG

Piezas alternativas

NÚMERO DE PARTE
FABRICANTE
CANTIDAD DISPONIBLE
NÚMERO DE PIEZA
PRECIO UNITARIO
TIPO DE SUSTITUCIÓN
STDV3055L104T4G
onsemi
5742
STDV3055L104T4G-DG
0.0053
Parametric Equivalent
MTD3055VL
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3504
MTD3055VL-DG
0.0053
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Preguntas Frecuentes (FAQ)

¿Cuáles son las principales características del MOSFET NTD3055L104T4G?

El NTD3055L104T4G es un MOSFET de canal N con una tensión de 60V y una corriente de 12A, diseñado con un encapsulado DPAK de montaje superficial, y presenta una baja resistencia Rds(On) de 104 mΩ a 6A y una tensión de puerta de 5V para conmutación eficiente.

¿Es adecuado el NTD3055L104T4G para aplicaciones de alta potencia?

Sí, con una disipación de potencia de hasta 48W y una temperatura máxima de unión de 175°C, este MOSFET es adecuado para conmutación de alta potencia y control de motores en aplicaciones que requieren un rendimiento confiable.

¿Con qué compatibilidad cuenta el NTD3055L104T4G con diferentes circuitos?

El MOSFET funciona eficazmente con un Vgs máximo de ±15V y un umbral de puerta de aproximadamente 2V, lo que lo hace compatible con circuitos de lógica de 5V y diversos sistemas de gestión de energía.

¿Cómo mejora el NTD3055L104T4G la eficiencia del circuito en comparación con otros MOSFETs?

Su baja Rds(On) minimiza las pérdidas de conducción, y su alta capacidad de corriente garantiza una conmutación de potencia eficiente, lo que ayuda a reducir la generación de calor y mejorar la eficiencia general del circuito.

¿Qué servicios están disponibles si necesito comprar o solicitar soporte para el MOSFET NTD3055L104T4G?

El producto está disponible en stock con 32,878 unidades, y puede contactar a los proveedores oficiales para compra, soporte técnico y servicios postventa, garantizando un uso óptimo y fiabilidad.

Aseguramiento de Calidad (QC)

DiGi garantiza la calidad y autenticidad de cada componente electrónico mediante inspecciones profesionales y muestreos por lote, asegurando un abastecimiento confiable, un rendimiento estable y el cumplimiento de las especificaciones técnicas, ayudando a los clientes a reducir los riesgos en la cadena de suministro y a usar los componentes en producción con confianza.

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Prevención de falsificaciones y defectos

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