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FDT3612
onsemi
MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT223-4
45325 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 100 V 3.7A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount SOT-223-4
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FDT3612
Descripción del producto
12837941
Número de pieza
FDT3612-DGFabricante
onsemi
FDT3612
Descripción
MOSFET N-CH 100V 3.7A SOT223-4Inventario
45325 Pcs Nuevos Originales En Stock
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FDT3612 Especificaciones Técnicas
Categoría
Transistores, FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Embalaje
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
PowerTrench®
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
3.7A (Ta)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
6V, 10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
120mOhm @ 3.7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
4V @ 250µA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
632 pF @ 50 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
3W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete de dispositivos del proveedor
SOT-223-4
Paquete / Caja
TO-261-4, TO-261AA
Número de producto base
FDT36
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Descargar FDT3612 Especificaciones del producto (PDF)
Hojas de datos
FDT3612
Hoja de datos HTML
FDT3612-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Información Adicional
Paquete Estándar
4,000
Otros nombres
FDT3612TR
FDT3612CT
FDT3612DKR
2156-FDT3612-OS
FDT3612-DG
Piezas alternativas
NÚMERO DE PARTE
FABRICANTE
CANTIDAD DISPONIBLE
NÚMERO DE PIEZA
PRECIO UNITARIO
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Preguntas Frecuentes (FAQ)
¿Cuáles son las características clave del MOSFET FDT3612 de ON Semiconductor?
El FDT3612 es un MOSFET de canal N con una tensión nominal de 100V y una corriente de drenaje continua de 3.7A. Cuenta con un encapsulado de montaje superficial SOT-223-4, una resistencia Rds On baja de 120 mOhm, y puede operar en un rango de temperatura de -55°C a 150°C, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de conmutación de alto rendimiento.
¿Es compatible el MOSFET FDT3612 de ON Semiconductor con circuitos de conmutación de potencia de alta eficiencia?
Sí, con una resistencia Rds On máxima de 120 mOhm a 10V Vgs y una carga de compuerta de solo 20 nC, el FDT3612 proporciona una conmutación eficiente con bajas pérdidas por conducción, ideal para la gestión de energía y fuentes de alimentación conmutadas.
¿Cuál es el voltaje de operación y la capacidad de corriente del MOSFET FDT3612?
El FDT3612 tiene un voltaje de drenaje a fuente (Vds) de 100V y una corriente de drenaje continua (Id) de 3.7A a 25°C, lo que lo hace apto para diversas aplicaciones de conmutación de potencia y control de cargas.
¿Es compatible el FDT3612 con diseños estándar de montaje en superficie en PCB?
Sí, el FDT3612 viene en un encapsulado TO-261-4 (SOT-223-4) de montaje superficial, ampliamente compatible con los procesos estándar de ensamblaje de PCB, facilitando su integración en circuitos electrónicos.
¿Cuáles son las ventajas de elegir el MOSFET FDT3612 de ON Semiconductor?
El FDT3612 ofrece un rendimiento confiable con un diseño compacto de montaje superficial, una baja Rds On para una transferencia de potencia eficiente y una amplia tolerancia de temperatura, lo que lo hace una opción versátil para diversas aplicaciones electrónicas y de gestión de potencia.
Aseguramiento de Calidad (QC)
DiGi garantiza la calidad y autenticidad de cada componente electrónico mediante inspecciones profesionales y muestreos por lote, asegurando un abastecimiento confiable, un rendimiento estable y el cumplimiento de las especificaciones técnicas, ayudando a los clientes a reducir los riesgos en la cadena de suministro y a usar los componentes en producción con confianza.
FDT3612 CAD Models
onsemi FDT3612 PCB symbols & footprints
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