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PMV100EPAR
Nexperia USA Inc.
MOSFET P-CH 60V 2.2A TO236AB
4315 Pcs Nuevos Originales En Stock
P-Channel 60 V 2.2A (Ta) 710mW (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount TO-236AB
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PMV100EPAR Nexperia USA Inc.
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PMV100EPAR

Descripción del producto

12939054

Número de pieza

PMV100EPAR-DG
PMV100EPAR

Descripción

MOSFET P-CH 60V 2.2A TO236AB

Inventario

4315 Pcs Nuevos Originales En Stock
P-Channel 60 V 2.2A (Ta) 710mW (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount TO-236AB
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PMV100EPAR Especificaciones Técnicas

Categoría Transistores, FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante Nexperia

Embalaje Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

Serie TrenchMOS™

Estado del producto Active

Tipo FET P-Channel

Tecnología MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C 2.2A (Ta)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado) 4.5V, 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs 130mOhm @ 2.2A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id 3.2V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs 17 nC @ 10 V

Vgs (máx.) ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 616 pF @ 30 V

Función FET -

Disipación de potencia (máx.) 710mW (Ta), 8.3W (Tc)

Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)

Grado Automotive

Calificación AEC-Q101

Tipo de montaje Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor TO-236AB

Paquete / Caja TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Número de producto base PMV100

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

PMV100EPA

Hoja de datos HTML

PMV100EPAR-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Información Adicional

Paquete Estándar
3,000
Otros nombres
1727-PMV100EPARDKR
5202-PMV100EPARTR
934661097215
1727-PMV100EPARCT
1727-PMV100EPARTR

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Preguntas Frecuentes (FAQ)

¿Cuáles son las principales características del MOSFET P-Canal Nexperia PMV100EPAR?

El PMV100EPAR es un MOSFET P-Canal con una tensión de drenaje a fuente de 60V, corriente de drenaje continua de 2.2A y una resistencia Rds On baja de 130mΩ a 10V de Vgs. Está diseñado para aplicaciones de montaje superficial con encapsulado TO-236AB y es apto para uso automotriz, contando con la certificación AEC-Q101.

¿Cómo puedo utilizar el MOSFET Nexperia PMV100EPAR en circuitos electrónicos?

Este MOSFET es ideal para conmutación y control de cargas en circuitos automotrices e industriales. Requiere un voltaje de puerta a fuente de al menos 4.5V para un rendimiento óptimo de Rds On y puede operar en un rango de temperatura amplio, desde -55°C hasta 175°C.

¿Es compatible el MOSFET Nexperia PMV100EPAR con diferentes niveles de voltaje?

Sí, soporta voltajes de puerta a fuente de hasta ±20V y tiene una tensión máxima de drenaje a fuente de 60V, lo que lo hace adecuado para diversas aplicaciones de control de voltaje en dispositivos electrónicos.

¿Cuáles son las ventajas de elegir el MOSFET Nexperia PMV100EPAR para mi proyecto?

Este MOSFET ofrece baja resistencia en estado encendido (on), alta capacidad de disipación de potencia y credenciales robustas para uso automotriz, garantizando un rendimiento fiable y una eficiencia energética en entornos exigentes.

¿Dónde puedo adquirir el MOSFET Nexperia PMV100EPAR y qué soporte postventa ofrecen?

El PMV100EPAR está disponible en grandes cantidades directamente a través de proveedores y distribuidores autorizados. Para soporte postventa, contacte con el servicio al cliente de Nexperia o con representantes autorizados para asistencia técnica o servicios de garantía.

Aseguramiento de Calidad (QC)

DiGi garantiza la calidad y autenticidad de cada componente electrónico mediante inspecciones profesionales y muestreos por lote, asegurando un abastecimiento confiable, un rendimiento estable y el cumplimiento de las especificaciones técnicas, ayudando a los clientes a reducir los riesgos en la cadena de suministro y a usar los componentes en producción con confianza.

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Prevención de falsificaciones y defectos

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