Prevención de falsificaciones y defectos
Inspección visual y de embalaje
Verificación del rendimiento eléctrico
Correo electrónico de servicio:
[email protected]
>
IXFR12N100Q
IXYS
MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247
2220 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 1000 V 10A (Tc) 250W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
Solicitar Cotización
(Envía mañana)
*Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
5.0 / 5.0
- (438 Calificaciones)
IXFR12N100Q
Descripción del producto
12911291
Número de pieza
IXFR12N100Q-DGFabricante
IXYS
IXFR12N100Q
Descripción
MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247Inventario
2220 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 1000 V 10A (Tc) 250W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™
Cantidad
Mínimo 1
Mínimo 1
Compra e consulta
Garantía y Devoluciones
Cómo hacer un pedido
Envío y Entrega
Aseguramiento de Calidad
365 - Garantía de Calidad Diaria - Cada pieza completamente respaldada.
Reembolso o cambio en 90 días - ¿Piezas defectuosas? Sin complicaciones.
Stock limitado, Haz tu pedido ahora - Obtén piezas confiables sin preocupaciones.
Envío Global y Embalaje Seguro
Entrega mundial en 3-5 días laborables
Empaquetado Antiestático 100% ESD
Seguimiento en Tiempo Real para Cada Pedido
Pago seguro y flexible
Tarjeta de crédito, VISA, MasterCard, PayPal, Western Union, Transferencia telegráfica (T/T) y más
Todos los pagos encriptados por seguridad
IXFR12N100Q Especificaciones Técnicas
Categoría
Transistores, FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs
Embalaje
-
Serie
HiPerFET™, Q Class
Estado del producto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnología
MOSFET (Metal Oxide)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
1000 V
Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C
10A (Tc)
Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado)
10V
rds activados (máx.) @ id, vgs
1.1Ohm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id
5.5V @ 4mA
Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2900 pF @ 25 V
Función FET
-
Disipación de potencia (máx.)
250W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje
Through Hole
Paquete de dispositivos del proveedor
ISOPLUS247™
Paquete / Caja
TO-247-3
Número de producto base
IXFR12
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
Descargar IXFR12N100Q Especificaciones del producto (PDF)
Hojas de datos
IXFR12N100Q, IXFR10N100Q
Hoja de datos HTML
IXFR12N100Q-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (Unlimited)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Información Adicional
Paquete Estándar
30
Piezas alternativas
NÚMERO DE PARTE
FABRICANTE
CANTIDAD DISPONIBLE
NÚMERO DE PIEZA
PRECIO UNITARIO
TIPO DE SUSTITUCIÓN
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
DiGi Electronics provides dependable devices that perform well over time.
Dec 02, 2025
Their customer service team is always ready to assist after purchase, which is reassuring.
Dec 02, 2025
Even with constant travel, my DiGi electronics have not only survived but thrived in tough conditions.
Publish Evalution
Evalution Message
Please enter your review message.
Please post honest comments and do not post ilegal comments.
Preguntas Frecuentes (FAQ)
¿Cuáles son las principales características del MOSFET IXFR12N100Q de Littelfuse?
El IXFR12N100Q es un MOSFET de canal N con una tensión máxima entre drenaje y fuente de 1000V, capaz de soportar una corriente de drenaje continua de 10A, y cuenta con una carcasa TO-247-3 adecuada para aplicaciones de alta potencia.
¿Es el IXFR12N100Q de Littelfuse adecuado para aplicaciones de conmutación de alta tensión?
Sí, con una tensión entre drenaje y fuente de 1000V, el IXFR12N100Q está diseñado para conmutación de alta tensión y gestión de energía en diversos circuitos electrónicos.
¿Cuáles son las opciones de compatibilidad y montaje para este MOSFET?
El MOSFET se monta mediante montaje de orificio pasante en una carcasa TO-247-3, lo que lo hace compatible con ensamblajes electrónicos de potencia que requieren componentes robustos y de alta tensión.
¿Cómo se compara el IXFR12N100Q en términos de disipación de potencia y rango de temperatura de funcionamiento?
Este MOSFET puede disipar hasta 250W a una temperatura de unión y opera eficazmente en un rango de temperatura de -55°C a 150°C, siendo adecuado para ambientes exigentes.
¿Cuál es la garantía y el servicio postventas del MOSFET Littelfuse IXFR12N100Q?
Littelfuse ofrece soporte confiable y garantía en sus productos; el IXFR12N100Q es un artículo en inventario nuevo con garantía completa del fabricante, asegurando calidad y servicio postventas.
Aseguramiento de Calidad (QC)
DiGi garantiza la calidad y autenticidad de cada componente electrónico mediante inspecciones profesionales y muestreos por lote, asegurando un abastecimiento confiable, un rendimiento estable y el cumplimiento de las especificaciones técnicas, ayudando a los clientes a reducir los riesgos en la cadena de suministro y a usar los componentes en producción con confianza.
IXFR12N100Q CAD Models
IXYS IXFR12N100Q PCB symbols & footprints
productDetail
