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IPTG014N10NM5ATMA1
Infineon Technologies
MOSFET N-CH 100V 37A/366A HSOG-8
1953 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 100 V 37A (Ta), 366A (Tc) 3.8W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOG-8-1
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IPTG014N10NM5ATMA1 Infineon Technologies
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IPTG014N10NM5ATMA1

Descripción del producto

12958871

Número de pieza

IPTG014N10NM5ATMA1-DG
IPTG014N10NM5ATMA1

Descripción

MOSFET N-CH 100V 37A/366A HSOG-8

Inventario

1953 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 100 V 37A (Ta), 366A (Tc) 3.8W (Ta), 375W (Tc) Surface Mount PG-HSOG-8-1
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IPTG014N10NM5ATMA1 Especificaciones Técnicas

Categoría Transistores, FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Embalaje Tape & Reel (TR)

Serie OptiMOS™ 5

Estado del producto Active

Tipo FET N-Channel

Tecnología MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C 37A (Ta), 366A (Tc)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado) 6V, 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs 1.4mOhm @ 150A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id 3.8V @ 280µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs 211 nC @ 10 V

Vgs (máx.) ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 16000 pF @ 50 V

Función FET -

Disipación de potencia (máx.) 3.8W (Ta), 375W (Tc)

Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor PG-HSOG-8-1

Paquete / Caja 8-PowerSMD, Gull Wing

Número de producto base IPTG014N

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

IPTG014N10NM5

Hoja de datos HTML

IPTG014N10NM5ATMA1-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Información Adicional

Paquete Estándar
1,800
Otros nombres
448-IPTG014N10NM5ATMA1CT
SP005430771
448-IPTG014N10NM5ATMA1TR
448-IPTG014N10NM5ATMA1DKR

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