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Inspección visual y de embalaje
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CY62147EV18LL-55BVXI
Infineon Technologies
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGA
1299 Pcs Nuevos Originales En Stock
SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mbit Parallel 55 ns 48-VFBGA (6x8)
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CY62147EV18LL-55BVXI
Descripción del producto
6328719
Número de pieza
CY62147EV18LL-55BVXI-DGFabricante
Infineon Technologies
CY62147EV18LL-55BVXI
Descripción
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48VFBGAInventario
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SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mbit Parallel 55 ns 48-VFBGA (6x8)
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CY62147EV18LL-55BVXI Especificaciones Técnicas
Categoría
Memoria, Memoria
Embalaje
Tray
Serie
MoBL®
Estado del producto
Active
DiGi-Electronics programable
Not Verified
Tipo de memoria
Volatile
Formato de memoria
SRAM
Tecnología
SRAM - Asynchronous
Tamaño de la memoria
4Mbit
Organización de la memoria
256K x 16
Interfaz de memoria
Parallel
Tiempo de ciclo de escritura - Word, Página
55ns
Tiempo de entrada
55 ns
Voltaje - Suministro
1.65V ~ 2.25V
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje
Surface Mount
Paquete / Caja
48-VFBGA
Paquete de dispositivos del proveedor
48-VFBGA (6x8)
Número de producto base
CY62147
Hoja de Datos y Documentos
Hojas de datos
CY62147EV18
Hoja de datos HTML
CY62147EV18LL-55BVXI-DG
Clasificación Ambiental y de Exportación
Estado de RoHS
ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
3 (168 Hours)
Estado de REACH
REACH Unaffected
ECCN
3A991B2A
HTSUS
8542.32.0041
Información Adicional
Paquete Estándar
480
Otros nombres
-CY62147EV18LL
CY62147EV18LL55BVXI
428-3972
428-3972-DG
448-CY62147EV18LL-55BVXI
CYPCYPCY62147EV18LL-55BVXI
CY62147EV18LL-55BVXI-DG
2015-CY62147EV18LL-55BVXI
2832-CY62147EV18LL-55BVXI
2156-CY62147EV18LL-55BVXI
SP005645133
Reviews
5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
Dec 02, 2025
Nous sommes impressionnés par la diversité d’options proposées, cela facilite grandement nos choix.
Dec 02, 2025
物流追跡システムが非常に正確で、配送状況をリアルタイムで確認できるのが便利です。
Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Preguntas Frecuentes (FAQ)
¿Cuál es la función principal del chip de memoria SRAM CY62147EV18LL-55BVXI?
El CY62147EV18LL-55BVXI es un chip de memoria SRAM asincrónica de 4 megabits, utilizado para el almacenamiento y recuperación de datos a alta velocidad en dispositivos electrónicos.
¿Es compatible el CY62147EV18LL-55BVXI con diferentes niveles de voltaje?
Sí, esta SRAM opera en un rango de voltaje de 1,65 V a 2,25 V, lo que la hace adecuada para diversas aplicaciones electrónicas de bajo voltaje.
¿Cuáles son las características y especificaciones clave de este circuito integrado de memoria?
Este circuito integrado de memoria cuenta con una capacidad de almacenamiento de 4 Mbit, tiempos de ciclo de acceso y escritura de 55 ns, interfaz paralela y se presenta en un paquete de superficie VFBGA de 48 pines, ideal para diseños compactos.
¿Puede el CY62147EV18LL-55BVXI resistir temperaturas extremas de funcionamiento?
Sí, está diseñado para operar de manera confiable en un rango de temperatura de -40°C a 85°C, apto para condiciones ambientales adversas.
¿De qué manera el embalaje y el estado de inventario benefician a mi proyecto?
El chip viene en un embalaje en bandeja para facilitar su manejo e instalación, y con más de 1,600 unidades en stock, asegura una adquisición rápida y confiable para sus necesidades de fabricación.
Aseguramiento de Calidad (QC)
DiGi garantiza la calidad y autenticidad de cada componente electrónico mediante inspecciones profesionales y muestreos por lote, asegurando un abastecimiento confiable, un rendimiento estable y el cumplimiento de las especificaciones técnicas, ayudando a los clientes a reducir los riesgos en la cadena de suministro y a usar los componentes en producción con confianza.
CY62147EV18LL-55BVXI CAD Models
Infineon Technologies CY62147EV18LL-55BVXI PCB symbols & footprints
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