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ZXMN7A11GTA
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 70V 2.7A SOT223
2551 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 70 V 2.7A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223-3
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ZXMN7A11GTA Diodes Incorporated
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ZXMN7A11GTA

Descripción del producto

12904931

Número de pieza

ZXMN7A11GTA-DG
ZXMN7A11GTA

Descripción

MOSFET N-CH 70V 2.7A SOT223

Inventario

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  • 100 0.3940 39.4000
  • 500 0.3566 178.3000
  • 1000 0.3379 337.9000
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ZXMN7A11GTA Especificaciones Técnicas

Categoría Transistores, FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante Diodes Incorporated

Embalaje Tape & Reel (TR)

Serie -

Estado del producto Active

Tipo FET N-Channel

Tecnología MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 70 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C 2.7A (Ta)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado) 4.5V, 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs 130mOhm @ 4.4A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id 1V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs 7.4 nC @ 10 V

Vgs (máx.) ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 298 pF @ 40 V

Función FET -

Disipación de potencia (máx.) 2W (Ta)

Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor SOT-223-3

Paquete / Caja TO-261-4, TO-261AA

Número de producto base ZXMN7A11

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

ZXMN7A11GTA

Hoja de datos HTML

ZXMN7A11GTA-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Información Adicional

Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
ZXMN7A11GDKR
ZXMN7A11GCT
ZXMN7A11GTR

Piezas alternativas

NÚMERO DE PARTE
FABRICANTE
CANTIDAD DISPONIBLE
NÚMERO DE PIEZA
PRECIO UNITARIO
TIPO DE SUSTITUCIÓN
BUK7880-55,135
NXP USA Inc.
761
BUK7880-55,135-DG
0.2628
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Preguntas Frecuentes (FAQ)

¿Cuáles son las principales características del diodo ZXMN7A11GTA MOSFET de canal N?

El ZXMN7A11GTA es un MOSFET de canal N con una tensión de 70V y una corriente continua de drenaje de 2.7A. Cuenta con una baja resistencia Rds On (máximo 130mΩ) y es adecuado para aplicaciones de montaje superficial utilizando el paquete SOT-223.

¿Es compatible el MOSFET ZXMN7A11GTA con circuitos electrónicos comunes?

Sí, este MOSFET funciona con voltajes de puerta entre 4.5V y 10V, lo que lo hace compatible con la mayoría de los circuitos de control lógica. Su baja resistencia Rds On y alto voltaje Drén-Source lo hacen ideal para diversas aplicaciones de conmutación.

¿Qué aplicaciones son adecuadas para el MOSFET de canal N ZXMN7A11GTA?

Este MOSFET es adecuado para conmutación de potencia, control de motores, convertidores DC-DC y otras aplicaciones de conmutación de alto corriente donde se requiere alta eficiencia y bajas pérdidas de conducción.

¿Cuáles son las ventajas de elegir el MOSFET ZXMN7A11GTA en lugar de otros dispositivos similares?

El ZXMN7A11GTA ofrece baja resistencia Rds On, alta capacidad de disipación de potencia (hasta 2W) y un amplio rango de temperatura de operación (-55°C a 150°C), garantizando un rendimiento confiable en condiciones exigentes.

¿El MOSFET ZXMN7A11GTA cuenta con garantía de calidad y soporte?

Sí, es un producto nuevo y original en stock, cumple con RoHS3, y se suministra en embalaje de cinta y carrete, adecuado para ensamblaje automatizado de montaje superficial. El soporte al cliente y detalles de garantía pueden ser proporcionados por el proveedor.

Aseguramiento de Calidad (QC)

DiGi garantiza la calidad y autenticidad de cada componente electrónico mediante inspecciones profesionales y muestreos por lote, asegurando un abastecimiento confiable, un rendimiento estable y el cumplimiento de las especificaciones técnicas, ayudando a los clientes a reducir los riesgos en la cadena de suministro y a usar los componentes en producción con confianza.

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