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ZXMN10A25GTA
Diodes Incorporated
MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223
24333 Pcs Nuevos Originales En Stock
N-Channel 100 V 2.9A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223-3
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ZXMN10A25GTA Diodes Incorporated
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ZXMN10A25GTA

Descripción del producto

12886962

Número de pieza

ZXMN10A25GTA-DG
ZXMN10A25GTA

Descripción

MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223

Inventario

24333 Pcs Nuevos Originales En Stock
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  • 10 0.7855 7.8550
  • 30 0.6992 20.9760
  • 100 0.6114 61.1400
  • 500 0.5596 279.8000
  • 1000 0.5323 532.3000
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ZXMN10A25GTA Especificaciones Técnicas

Categoría Transistores, FETs, MOSFETs, FETs individuales, MOSFETs

Fabricante Diodes Incorporated

Embalaje Tape & Reel (TR)

Serie -

Estado del producto Active

Tipo FET N-Channel

Tecnología MOSFET (Metal Oxide)

Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V

Corriente - Drenaje continuo (id) @ 25°C 2.9A (Ta)

Voltaje de accionamiento (máx. rds activado, min rds activado) 10V

rds activados (máx.) @ id, vgs 125mOhm @ 2.9A, 10V

vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA

Carga de puerta (qg) (máx.) @ vgs 17 nC @ 10 V

Vgs (máx.) ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds 859 pF @ 50 V

Función FET -

Disipación de potencia (máx.) 2W (Ta)

Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje Surface Mount

Paquete de dispositivos del proveedor SOT-223-3

Paquete / Caja TO-261-4, TO-261AA

Número de producto base ZXMN10

Hoja de Datos y Documentos

Hojas de datos

ZXMN10A25G

Hoja de datos HTML

ZXMN10A25GTA-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de REACH REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.29.0095

Información Adicional

Paquete Estándar
1,000
Otros nombres
ZXMN10A25GTATR
ZXMN10A25GCT-DG
ZXMN10A25GTACTINACTIVE
ZXMN10A25GTR-DG
ZXMN10A25GTADKRINACTIVE
ZXMN10A25GTATRINACTIVE
ZXMN10A25GTR
ZXMN10A25GTACT
ZXMN10A25GCT
ZXMN10A25G
ZXMN10A25GDKR
ZXMN10A25GTADKR
ZXMN10A25GDKR-DG

Piezas alternativas

NÚMERO DE PARTE
FABRICANTE
CANTIDAD DISPONIBLE
NÚMERO DE PIEZA
PRECIO UNITARIO
TIPO DE SUSTITUCIÓN
BUK7880-55,135
NXP USA Inc.
761
BUK7880-55,135-DG
0.4252
MFR Recommended

Reviews

5.0/5.0-(Show up to 5 Ratings)
잠***밤
Dec 02, 2025
5.0
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Wildfl***rDreams
Dec 02, 2025
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Dec 02, 2025
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Preguntas Frecuentes (FAQ)

¿Cuáles son las principales características del MOSFET N-channel ZXMN10A25GTA?

El ZXMN10A25GTA es un MOSFET de montaje superficial con canal N, con una tensión nominal de 100V, una corriente de drenaje continua de 2.9A y una disipación de potencia máxima de 2W. Destaca por su baja resistencia Rds On de 125mΩ a 10V Vgs, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de conmutación eficientes.

¿Es compatible el ZXMN10A25GTA con diseños de circuitos estándar?

Sí, este MOSFET está diseñado para integrarse fácilmente en circuitos de montaje superficial y utiliza el encapsulado SOT-223, ampliamente soportado en diseños electrónicos modernos. Además, funciona de manera eficaz en un rango de temperaturas de -55°C a 150°C.

¿Cuáles son las aplicaciones típicas de este MOSFET?

El ZXMN10A25GTA es ideal para conmutación de potencia, control de cargas y aplicaciones de alta tensión en electrónica de consumo, fuentes de alimentación y sistemas de control de motores, gracias a sus características de alta tensión y baja Rds On.

¿Es compatible con RoHS y respetuoso con el medio ambiente el ZXMN10A25GTA?

Sí, este MOSFET cumple con los estándares RoHS3, garantizando que está libre de sustancias nocivas y es seguro para procesos de fabricación y reciclaje electrónicos.

¿Qué tipo de garantía y soporte se ofrece para este MOSFET?

El ZXMN10A25GTA se vende como producto nuevo y en stock, con soporte confiable por parte del proveedor. Para detalles específicos de la garantía, consulte las políticas del distribuidor o fabricante, que generalmente cubren la calidad y el rendimiento del producto.

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Prevención de falsificaciones y defectos

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