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1N4006GL-T
Diodes Incorporated
DIODE GEN PURP 800V 1A DO41
936 Pcs Nuevos Originales En Stock
Diode 800 V 1A Through Hole DO-41
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1N4006GL-T Diodes Incorporated
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1N4006GL-T

Descripción del producto

12882304

Número de pieza

1N4006GL-T-DG
1N4006GL-T

Descripción

DIODE GEN PURP 800V 1A DO41

Inventario

936 Pcs Nuevos Originales En Stock
Diode 800 V 1A Through Hole DO-41
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1N4006GL-T Especificaciones Técnicas

Categoría Diodos, Rectificadores, Diodos simples

Fabricante Diodes Incorporated

Embalaje -

Serie -

Estado del producto Obsolete

Tecnología Standard

Voltaje: CC inversa (VR) (máx.) 800 V

Actual - Promedio rectificado (Io) 1A

Voltaje - Directo (Vf) (Máx.) @ Si 1 V @ 1 A

Velocidad Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Tiempo de recuperación inversa (trr) 2 µs

Corriente - Fuga inversa @ vr 5 µA @ 800 V

Capacitancia @ Vr, F 8pF @ 4V, 1MHz

Tipo de montaje Through Hole

Paquete / Caja DO-204AL, DO-41, Axial

Paquete de dispositivos del proveedor DO-41

Temperatura de funcionamiento - Unión -65°C ~ 175°C

Número de producto base 1N4006

Hoja de Datos y Documentos

Hoja de datos HTML

1N4006GL-T-DG

Clasificación Ambiental y de Exportación

Estado de RoHS ROHS3 Compliant
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) 1 (Unlimited)
Estado de REACH REACH Affected
ECCN EAR99
HTSUS 8541.10.0080

Información Adicional

Paquete Estándar
5,000

Piezas alternativas

NÚMERO DE PARTE
FABRICANTE
CANTIDAD DISPONIBLE
NÚMERO DE PIEZA
PRECIO UNITARIO
TIPO DE SUSTITUCIÓN
1N4007RLG
onsemi
150379
1N4007RLG-DG
0.0004
MFR Recommended
1N4007-TP
Micro Commercial Co
430873
1N4007-TP-DG
0.0002
MFR Recommended
1N4007-BP
Micro Commercial Co
971
1N4007-BP-DG
0.0225
MFR Recommended
BYT54M-TAP
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
34037
BYT54M-TAP-DG
0.1693
MFR Recommended
1N5621GP-E3/54
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
5173
1N5621GP-E3/54-DG
0.1713
MFR Recommended

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